英特尔发布3D NAND技术 可大幅提升SSD容量

 2014-11-27 来源： 赛迪网 作者：唐蓉

固态硬盘的数据传输速度虽然很快，但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，但更高的成本也拉高了硬盘的售价。

对于这个问题，英特尔可能已经在3D NAND当中找到了解决办法。3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种技术，它的概念其实非常简单：不同于将存储芯片放置在单面，英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC闪存芯片可增加48GB。

这款硬盘目前已经进入了原型机阶段。在本月20日和投资者进行的视频会议上，英特尔高级副总裁Rob Crooke称他作展示所使用的就是采用3D NAND技术所打造的硬盘。虽说如此，这种硬盘还要等到明年中旬才会开售，且最初的价格会非常昂贵。首批配备3D NAND技术的固态硬盘将具备数TB的容量，主要受众是企业用户。

不过从长期来看，这种技术可能会拉低1-4TB容量固态硬盘的价格，并进一步降低固态硬盘的体积——这对于笔记本和平板电脑厂商来说肯定是个好消息。

英特尔和镁光并非是唯一在探索这种技术的厂商。 三星 的32层V-NAND技术可为每个MLC单元装备最高10GB的容量，且该技术已经被应用在了量产产品当中。虽然这种技术能为固态硬盘增加的容量并不如英特尔的技术那么高，但三星称他们下一代的技术将会在2015年末推出，到那时，双方肯定会迎来一场直面对抗。